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利用硅超表面的“trappedmode”原理实现三倍频增强

时间:2022-05-19 18:13 点击次数:
  本文摘要:在过去几十年中,三倍频的构建一般都是依赖具备低非线性的体材料,但它的长相互作用长度,容许了它的应用于。硅超强表面为解决问题这一难题获取了新的思路,利用trappedmode原理,可以将光场容许在硅纳米结构中,构建局域电场的强化,从而提高三倍频的切换效率。 武汉光电国家实验室先进设备纳米光子学与构建研究小组的汪毅副教授率领的研究小组设计了一种由平面的纺锤形纳米结构阵列所构成的硅超强表面,顺利构建了三倍频的强化。

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在过去几十年中,三倍频的构建一般都是依赖具备低非线性的体材料,但它的长相互作用长度,容许了它的应用于。硅超强表面为解决问题这一难题获取了新的思路,利用trappedmode原理,可以将光场容许在硅纳米结构中,构建局域电场的强化,从而提高三倍频的切换效率。  武汉光电国家实验室先进设备纳米光子学与构建研究小组的汪毅副教授率领的研究小组设计了一种由平面的纺锤形纳米结构阵列所构成的硅超强表面,顺利构建了三倍频的强化。

依赖硅超强表面高品质因子的法诺谐振效应,通过实验证明了三倍频的切换效率相比于体硅而言可以有300倍左右的强化。通过调节入射光的偏振角度,三倍频的仅次于消光比可以超过将近25dB。  2016年8月22日,该研究成果以论文Enhancedthirdharmonicgenerationinasiliconmetasurfaceusingtrappedmode,公开发表在OpticsExpress(vol.24,no.17,pp.19661-19670,2016)。

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该研究取得了国家自然科学基金(No.60806016,No.61177049,No.11304365)和国家重点基础研究发展计划(No.。


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